JSM-7800F超高分辨热场发射扫描电镜
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品 牌
日本电子株式会社(JEOL)
型 号JSM-7800F
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模 式
- 联系人:易科学客服
- 联系电话:400-086-3999 转 801
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- 详细介绍
仪器简介
新一代场发射扫描电镜JSM-7800F配备了新开发的超级混合式物镜(SHL),在保持极高的可操作性的同时,实现了低加速电压下的高分辨率,电子源采用浸没式(in-lens)肖特基场发射电子枪,因而能以大束流电流进行稳定的分析。
通过超级混合式物镜(SHL)进行高分辨率观察
JSM-7800F的物镜采用的是静电场和静磁场叠加的超级混合式物镜(SHL),由于减少了色差及球差,极大地提高了低加速电压下的分辨率。此外,SHL不会对样品形成磁场影响,因此观察磁性材料的样品和进行EBSD测试可以不受制约。
低加速电压下的能量选择
能量过滤器位于高位检测器 (UED)的正下方,可以选择能量。即使在低加速电压下,也能够精确地选择二次电子和背散射电子,因而可以通过低加速电压下的背散射电子像观察样品的浅表面。
通过Gentle Beam (即柔和光束GB模式)观察样品的浅表面
给样品加以偏压(GB),对入射电子有减速、对释放出的电子有加速作用。即使入射电子束到达样品时的能量很低,也可以获得高分辨率、高信噪比的图像。如果利用能施加更高偏压的GB模式,用几十电子伏能量的入射电子束,就可以进行更高分辨率的观察。
通过多个检测器获取样品的所有信息
JSM-7800F配有四种检测器:高位检测器(UED) 、高位二次电子检测器(USD)、背散射电子检测器(BED)和低位检测器(LED)。UED过滤器的电压不同,二次电子和背散射电子的数量会改变,因此可以选择电子的能量,USD检测被过滤器弹回的低能量电子,BED通过检测低角度的背散射电子,能清楚地观察通道衬度。利用LED的照明效果能够获得含有形貌信息的、富有立体感的图像。
仪器参数
分辨率:0.8nm (15kV)1.2nm (1kV)
放大倍数:25 to 1,000,000x
加速电压:0.01 to 30kV
束流强度:200 nA(15kV)
电子枪:浸没式热场发射电子枪
物镜设计:超级混合式物镜
样品台:5轴马达驱动
检测项目
磁性非磁性样品形貌分析,点扫描,线扫描,面扫描
能谱仪(EDS)
波谱仪(WDS)
电子背散射衍射系统(EBSD)
样品要求
结果示例
应用实例
低加速电压下的观察
利用JSM-7800F的GB模式,到达样品的能量从10 eV开始就可以观察。下面将到达样品的能量设定为80 eV进行实例观察:一个碳原子厚度的石墨薄片的表面
Specimen: Graphene
样品: 石墨烯 到达能量80eV
能量选择
UED和USD能同时获取背散射电子像(左图)和二次电子像(右图),因此可以精确地解释图像。二次电子像主要反映形貌信息,金颗粒和TiO2的衬度没有明显不同,而背散射电子像中原子序数高的金颗粒则显得明亮。
背散射电子像 BE image
二次电子像 SE image
样品: 金负载型TiO2催化剂(2kV)g
利用GBSH观察
利用GBSH对样品施加高偏压,像差将会减小,图像的高分辨率会更高。能清楚地观察到介孔二氧化硅里中的微孔(下图)。
样品:介孔二氧化硅 到达样品的能量: 1keV
观察磁性材料样品
SHL物镜能抑制磁场的泄漏,因此即便是磁性材料的样品,也可以用极低的入射电子能量很容易地进行高分辨率观察 。
样品: 磁铁矿纳米颗粒 到达样品的能量: 1keV
磁性样品的EBSD测试
SHL没有磁场泄漏的影响,也很适合于EBSD。象下图所示那样,通过反极图能准确地确定晶体的取向。
分析点数: 118585
尺寸: Xzei大: 80.00微米, Y zei大: 79.89微米,步长: 0.25微米, 相: Nd2Fe14B
从样品中获得的EBSD花样实例( 在任意点上获取)
ND TD RD
仪器简介
新一代场发射扫描电镜JSM-7800F配备了新开发的超级混合式物镜(SHL),在保持极高的可操作性的同时,实现了低加速电压下的高分辨率,电子源采用浸没式(in-lens)肖特基场发射电子枪,因而能以大束流电流进行稳定的分析。
通过超级混合式物镜(SHL)进行高分辨率观察
JSM-7800F的物镜采用的是静电场和静磁场叠加的超级混合式物镜(SHL),由于减少了色差及球差,极大地提高了低加速电压下的分辨率。此外,SHL不会对样品形成磁场影响,因此观察磁性材料的样品和进行EBSD测试可以不受制约。
低加速电压下的能量选择
能量过滤器位于高位检测器 (UED)的正下方,可以选择能量。即使在低加速电压下,也能够精确地选择二次电子和背散射电子,因而可以通过低加速电压下的背散射电子像观察样品的浅表面。
通过Gentle Beam (即柔和光束GB模式)观察样品的浅表面
给样品加以偏压(GB),对入射电子有减速、对释放出的电子有加速作用。即使入射电子束到达样品时的能量很低,也可以获得高分辨率、高信噪比的图像。如果利用能施加更高偏压的GB模式,用几十电子伏能量的入射电子束,就可以进行更高分辨率的观察。
通过多个检测器获取样品的所有信息
JSM-7800F配有四种检测器:高位检测器(UED) 、高位二次电子检测器(USD)、背散射电子检测器(BED)和低位检测器(LED)。UED过滤器的电压不同,二次电子和背散射电子的数量会改变,因此可以选择电子的能量,USD检测被过滤器弹回的低能量电子,BED通过检测低角度的背散射电子,能清楚地观察通道衬度。利用LED的照明效果能够获得含有形貌信息的、富有立体感的图像。
仪器参数
分辨率:0.8nm (15kV)1.2nm (1kV)
放大倍数:25 to 1,000,000x
加速电压:0.01 to 30kV
束流强度:200 nA(15kV)
电子枪:浸没式热场发射电子枪
物镜设计:超级混合式物镜
样品台:5轴马达驱动
测试项目
磁性非磁性样品形貌分析,点扫描,线扫描,面扫描
能谱仪(EDS)
波谱仪(WDS)
电子背散射衍射系统(EBSD)
样品要求
无机材料,干燥
结果实例
应用实例
低加速电压下的观察
利用JSM-7800F的GB模式,到达样品的能量从10 eV开始就可以观察。下面将到达样品的能量设定为80 eV进行实例观察:一个碳原子厚度的石墨薄片的表面
Specimen: Graphene
样品: 石墨烯 到达能量80eV
能量选择
UED和USD能同时获取背散射电子像(左图)和二次电子像(右图),因此可以精确地解释图像。二次电子像主要反映形貌信息,金颗粒和TiO2的衬度没有明显不同,而背散射电子像中原子序数高的金颗粒则显得明亮。
背散射电子像 BE image
二次电子像 SE image
样品: 金负载型TiO2催化剂(2kV)g
利用GBSH观察
利用GBSH对样品施加高偏压,像差将会减小,图像的高分辨率会更高。能清楚地观察到介孔二氧化硅里中的微孔(下图)。
样品:介孔二氧化硅 到达样品的能量: 1keV
观察磁性材料样品
SHL物镜能抑制磁场的泄漏,因此即便是磁性材料的样品,也可以用极低的入射电子能量很容易地进行高分辨率观察 。
样品: 磁铁矿纳米颗粒 到达样品的能量: 1keV
磁性样品的EBSD测试
SHL没有磁场泄漏的影响,也很适合于EBSD。象下图所示那样,通过反极图能准确地确定晶体的取向。
分析点数: 118585
尺寸: Xzei大: 80.00微米, Y zei大: 79.89微米,步长: 0.25微米, 相: Nd2Fe14B
从样品中获得的EBSD花样实例( 在任意点上获取)
ND TD RD
JSM-7800F超高分辨热场发射扫描电镜
分辨率:0.8nm (15kV)1.2nm (1kV)
放大倍数:25 to 1,000,000x
加速电压:0.01 to 30kV
束流强度:200 nA(15kV)
电子枪:浸没式热场发射电子枪
物镜设计:超级混合式物镜
样品台:5轴马达驱动