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200kV场发射透射电子显微镜(含能谱仪)

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200kV场发射透射电子显微镜(含能谱仪)

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      • 地 址

        江苏 苏州

      • 价 格

        300

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仪器简介

主要技术指标/Main Specifications

Ø   点分辨率:0.19nm

Point Resolution0.19nm

Ø   线分辨率:0.102nm

Lattice Resolution0.102nm

Ø   STEM明场线分辨率:0.20nm

STEM Bright-filed lattice resolution0.20nm

Ø   束斑尺寸/Spot size

TEM mode2~5nm  

Ø   放大倍数/Magnification  

LOW MAG mode50×~6,000× 

SA MAG mode8,000×~800,000×

MAG mode2,000×~1,500,000×

Ø   EDS元素测量范围:B5-U92

Element rangeB5-U92

Ø   EDS分辨率:Mn Ka≤136eVF Ka≤75eVC Ka≤72eV

EDS energy resolutionMn Ka≤136eV, F Ka≤75eV, C Ka≤72eV

Ø   样品要求:直径f3mm,厚度<100nm。导电性良好

Specimenf3mm diameter, thickness<100nm. Good conductivity

主要功能/Main function

Ø   TEM 明场像和暗场像

TEM bright-field and dark-field images

Ø   高分辨晶格像和结构像

High resolution lattice image and structural image

Ø   选区电子衍射

Selected Area Electron DiffractionSAED

Ø   会聚束电子衍射

Convergence Beam Electron DiffractionCBED

Ø   纳米束(微束)衍射

Nanometer Beam Electron DiffractionNBED

Ø   STEM 明场像和暗场像

STEM bright-field image and dark-field image

Ø   高角环形暗场像(HAADF像)—Z-衬度像

High Angle Annular Dark Field imageHAADF)—Z-Contrast image

Ø   EDS定性和定量点分析

EDS qualitative and quantitative point analysis

Ø   EDS线分析和面分析

EDS line and mapping analysis

Ø   样品双向倾转

Specimen double tilting

Ø   CCD 相机数码记录

Recording using digital CCD

------------------------------------------

样品要求:

    直径f3mm,厚度<100nm。导电性良好


------------------------------------------------

收费标准:

低倍形貌(低于30万倍)800元/件(备注:一小时之内,超过一小时,另计一见)

高分辨、晶体结构、取向测试、EDS扫描  1600元/件(备注:两小时之内,超过两小时,另计一见)


说明:对于大批量样品测试或多件样品检测同一项目的重复测试,可以协商折扣优惠。

仪器简介

主要技术指标/Main Specifications

Ø   点分辨率:0.19nm

Point Resolution0.19nm

Ø   线分辨率:0.102nm

Lattice Resolution0.102nm

Ø   STEM明场线分辨率:0.20nm

STEM Bright-filed lattice resolution0.20nm

Ø   束斑尺寸/Spot size

TEM mode2~5nm  

Ø   放大倍数/Magnification  

LOW MAG mode50×~6,000× 

SA MAG mode8,000×~800,000×

MAG mode2,000×~1,500,000×

Ø   EDS元素测量范围:B5-U92

Element rangeB5-U92

Ø   EDS分辨率:Mn Ka≤136eVF Ka≤75eVC Ka≤72eV

EDS energy resolutionMn Ka≤136eV, F Ka≤75eV, C Ka≤72eV

Ø   样品要求:直径f3mm,厚度<100nm。导电性良好

Specimenf3mm diameter, thickness<100nm. Good conductivity

主要功能/Main function

Ø   TEM 明场像和暗场像

TEM bright-field and dark-field images

Ø   高分辨晶格像和结构像

High resolution lattice image and structural image

Ø   选区电子衍射

Selected Area Electron DiffractionSAED

Ø   会聚束电子衍射

Convergence Beam Electron DiffractionCBED

Ø   纳米束(微束)衍射

Nanometer Beam Electron DiffractionNBED

Ø   STEM 明场像和暗场像

STEM bright-field image and dark-field image

Ø   高角环形暗场像(HAADF像)—Z-衬度像

High Angle Annular Dark Field imageHAADF)—Z-Contrast image

Ø   EDS定性和定量点分析

EDS qualitative and quantitative point analysis

Ø   EDS线分析和面分析

EDS line and mapping analysis

Ø   样品双向倾转

Specimen double tilting

Ø   CCD 相机数码记录

Recording using digital CCD

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样品要求:

    直径f3mm,厚度<100nm。导电性良好


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收费标准:

低倍形貌(低于30万倍)800元/件(备注:一小时之内,超过一小时,另计一见)

高分辨、晶体结构、取向测试、EDS扫描  1600元/件(备注:两小时之内,超过两小时,另计一见)


说明:对于大批量样品测试或多件样品检测同一项目的重复测试,可以协商折扣优惠。

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